Name: S3M0012120K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0012120K-ND
Price: 24.6477 USD
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

S3M0012120K
Numărul produsului DigiKey	1655-S3M0012120K-ND
Producător	SMC Diode Solutions
Numărul produsului producătorului	S3M0012120K
Descriere	DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 155A (Tc) 937W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-4
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	155A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	16mOhm la 100A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 40mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	347 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+18V, -4V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	6358 pF @ 1000 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	937W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247-4
Pachet/cutie	TO-247-4

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 180

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în USD

Tub

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
1	20,37000 $	20,37 $
30	12,82033 $	384,61 $
120	11,56675 $	1.388,01 $

Pachet standard de la producător

Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.