
S2M0160120D | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 1655-S2M0160120D-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | S2M0160120D |
Descriere | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Termen de livrare standard al producătorului | 12 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 1200 V 17A (Tc) 130W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AD |
Fișă de date | Fișă de date |
Tip | Descriere | Selectare globală |
|---|---|---|
Categorie | ||
Prod. | ||
Serie | - | |
Ambalaj | Tub | |
Stare piesă | Activ | |
Tip FET | ||
Tehnologie | ||
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) | 1200 V | |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | ||
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) | 20V | |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs | 196mOhm la 10A, 20V | |
Vgs(th) (Max) la Id | 4V la 2,5mA | |
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (Max) | +20V, -5V | |
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Caracteristică FET | – | |
Disipare putere (Max) | 130W (Tc) | |
Temperatură de funcționare | -55°C – 175°C (TJ) | |
Grad | – | |
Calificare | – | |
Tip montare | Orificiu străpuns | |
Pachet dispozitiv furnizor | TO-247AD | |
Pachet/cutie |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 22,91000 lei | 22,91 lei |
| 10 | 15,22300 lei | 152,23 lei |
| 300 | 9,53117 lei | 2.859,35 lei |
| 600 | 8,85452 lei | 5.312,71 lei |
| 1.200 | 8,50268 lei | 10.203,22 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 22,91000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 27,72110 lei |



