Name: S2M0080120N
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0080120N-ND
Price: 115.3251 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

S2M0080120N
Numărul produsului DigiKey	1655-S2M0080120N-ND
Producător	SMC Diode Solutions
Numărul produsului producătorului	S2M0080120N
Descriere	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 36A (Tc) 176W (Tc) Cu montare pe carcasă SOT-227
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Ambalaj	Vrac
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	36A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	100mOhm la 20A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	54 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+20V, -5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1324 pF @ 1000 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	176W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Cu montare pe carcasă
Pachet dispozitiv furnizor	SOT-227
Pachet/cutie	SOT-227-4, miniBLOC