
GCMX003A120S3B1-N | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 1560-GCMX003A120S3B1-N-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | GCMX003A120S3B1-N |
Descriere | 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Termen de livrare standard al producătorului | 22 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Cu montare pe carcasă – |
Fișă de date | Fișă de date |
Categorie | Vgs(th) (Max) la Id 4V la 120mA |
Producător SemiQ | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 1408nC la 20V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 41400pF la 800V |
Ambalaj Cutie | Putere - Max 2113W (Tc) |
Stare piesă Activ | Temperatură de funcționare -40°C – 175°C (TJ) |
Tehnologie Silicon carbid (SiC) | Grad – |
Configurație Canal 2 N (Semi-punte) | Calificare – |
Caracteristică FET – | Tip montare Cu montare pe carcasă |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200V (1,2kV) | Pachet/cutie Modul |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 625A (Tc) | Pachet dispozitiv furnizor – |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 5,5mOhm la 300A, 20V |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 1.109,41000 lei | 1.109,41 lei |
| 15 | 998,98600 lei | 14.984,79 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 1.109,41000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 1.342,38610 lei |










