Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Cu montare pe carcasă –
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

GCMX003A120S3B1-N

Numărul produsului DigiKey
1560-GCMX003A120S3B1-N-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
GCMX003A120S3B1-N
Descriere
1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Termen de livrare standard al producătorului
22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Cu montare pe carcasă –
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Producător
SemiQ
Serie
Ambalaj
Cutie
Stare piesă
Activ
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Configurație
Canal 2 N (Semi-punte)
Caracteristică FET
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
625A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
5,5mOhm la 300A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 120mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
1408nC la 20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
41400pF la 800V
Putere - Max
2113W (Tc)
Temperatură de funcționare
-40°C – 175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Pachet/cutie
Modul
Pachet dispozitiv furnizor
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 25
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Cutie
Cantitate Preț unitar Ext Price
11.047,59000 lei1.047,59 lei
151.009,06667 lei15.136,00 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:1.047,59000 lei
Preț unitar cu TVA:1.267,58390 lei