Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Cu montare pe carcasă –
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

GCMX003A120S3B1-N

Numărul produsului DigiKey
1560-GCMX003A120S3B1-N-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
GCMX003A120S3B1-N
Descriere
1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Termen de livrare standard al producătorului
22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Cu montare pe carcasă –
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Categorie
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 120mA
Producător
SemiQ
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
1408nC la 20V
Serie
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
41400pF la 800V
Ambalaj
Cutie
Putere - Max
2113W (Tc)
Stare piesă
Activ
Temperatură de funcționare
-40°C – 175°C (TJ)
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Grad
Configurație
Canal 2 N (Semi-punte)
Calificare
Caracteristică FET
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Pachet/cutie
Modul
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
625A (Tc)
Pachet dispozitiv furnizor
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
5,5mOhm la 300A, 20V
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 21
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Cutie
Cantitate Preț unitar Ext Price
11.109,41000 lei1.109,41 lei
15998,98600 lei14.984,79 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:1.109,41000 lei
Preț unitar cu TVA:1.342,38610 lei