Name: SH8J66TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8J66TB1TR-ND
Price: 17.4724 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SH8J66TB1
Numărul produsului DigiKey	SH8J66TB1TR-ND - Bandă și mosor (TR) SH8J66TB1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SH8J66TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	SH8J66TB1
Descriere	MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 30V 9A 2W Montare pe suprafață 8-SOP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SH8J66TB1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA
Producător Rohm Semiconductor	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 35nC la 5V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 3000pF la 10V
Stare piesă Activ	Putere - Max 2W
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Configurație Canal 2 P (dublu)	Tip montare Montare pe suprafață
Caracteristică FET Poartă logică	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SOP
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 9A	Număr produs de bază SH8J66
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 18,5mOhm la 9A, 10V