SCT2280KEC Rohm Semiconductor | Produse cu semiconductori discreți

SCT2280KEC
Numărul produsului DigiKey	SCT2280KEC-ND
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	SCT2280KEC
Descriere	SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SCT2280KEC Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	14A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	364mOhm la 4A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 1,4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	36 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -6V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	667 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	108W (Tc)
Temperatură de funcționare	175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247
Pachet/cutie	TO-247-3
Număr produs de bază	SCT2280

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Sunt de acord să primesc e-mailuri de marketing de la DigiKey (opțional). Înțeleg că îmi pot retrage consimțământul în orice moment. Vă rugăm să consultați Notificarea noastră de confidențialitate.

Informaţii

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

Contactați-ne

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

SCT2280KEC

Informaţii

Ajutor

Contactați-ne

Urmăriți-ne