Diodă 650 V 4A Orificiu străpuns TO-220ACP
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Diodă 650 V 4A Orificiu străpuns TO-220ACP
4th Gen SiC MOSFETs

SCS304AHGC9

Numărul produsului DigiKey
SCS304AHGC9-ND
Producător
Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului
SCS304AHGC9
Descriere
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP
Referință client
Descriere detaliată
Diodă 650 V 4A Orificiu străpuns TO-220ACP
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tehnologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensiune - Inversare c.c. (Vr) (Max)
650 V
Curent - Mediu rectificat (Io)
4A
Tensiune - Directă (Vf) (Max) la If
1.5 V @ 4 A
Timp recuperare inversă (trr)
0 ns
Curent - Scurgere inversă la Vr
20 µA @ 650 V
Capacitanță la Vr, F
200pF la 1V, 1MHz
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet/cutie
TO-220-2
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220ACP
Temperatură de funcționare - Joncțiune
175°C (max.)
Număr produs de bază
SCS304
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 52
Verificați stoc primit suplimentar
Acest produs nu se mai fabrică, iar stocul acestuia nu va fi reaprovizionat după epuizarea stocului. Se Produse înlocuitoare.
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
116,74000 lei16,74 lei
508,49420 lei424,71 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:16,74000 lei
Preț unitar cu TVA:20,25540 lei