Name: RSJ250P10FRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSJ250P10FRATLTR-ND
Price: 14.6894 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RSJ250P10FRATL
Numărul produsului DigiKey	RSJ250P10FRATLTR-ND - Bandă și mosor (TR) RSJ250P10FRATLCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RSJ250P10FRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RSJ250P10FRATL
Descriere	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 100 V 25A (Tc) 50W (Tc) Montare pe suprafață LPTS
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RSJ250P10FRATL Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Rohm Semiconductor	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 8000 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 50W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare 150°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 25A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor LPTS
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 63mOhm la 25A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA	Număr produs de bază RSJ250
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 60 nC @ 5 V