Name: RS6N120BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6N120BHTB1TR-ND
Price: 19.1543 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RS6N120BHTB1
Numărul produsului DigiKey	846-RS6N120BHTB1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-RS6N120BHTB1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-RS6N120BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RS6N120BHTB1
Descriere	NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 120A (Tc) 104W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSOP
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	120A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4,9mOhm la 60A, 6V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3420 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	104W (Tc)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	8-HSOP
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	RS6N120