Name: RS1E280BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E280BNTBTR-ND
Price: 7.018 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RS1E280BNTB
Numărul produsului DigiKey	RS1E280BNTBTR-ND - Bandă și mosor (TR) RS1E280BNTBCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RS1E280BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RS1E280BNTB
Descriere	MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSOP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RS1E280BNTB Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	28A (Ta), 80A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,3mOhm la 28A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	5100 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3W (Ta), 30W (Tc)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	8-HSOP
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	RS1E