Name: RS1E220ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E220ATTB1TR-ND
Price: 19.36 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RS1E220ATTB1
Numărul produsului DigiKey	RS1E220ATTB1TR-ND - Bandă și mosor (TR) RS1E220ATTB1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RS1E220ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RS1E220ATTB1
Descriere	MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 22A (Ta), 76A (Tc) 3W (Ta) Montare pe suprafață 8-HSOP
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Rohm Semiconductor	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5850 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3W (Ta)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 22A (Ta), 76A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-HSOP
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 4,1mOhm la 22A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 2mA	Număr produs de bază RS1E
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 130 nC @ 10 V