Name: RQ7E110AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ7E110AJTCRTR-ND
Price: 7.9134 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RQ7E110AJTCR
Numărul produsului DigiKey	RQ7E110AJTCRTR-ND - Bandă și mosor (TR) RQ7E110AJTCRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RQ7E110AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RQ7E110AJTCR
Descriere	MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 11A (Tc) 1,5W (Tc) Montare pe suprafață TSMT8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RQ7E110AJTCR Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	11A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	9mOhm la 4,5A, 11V
Vgs(th) (Max) la Id	1,5V la 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2410 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1,5W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TSMT8
Pachet/cutie	8-SMD, Derivații plate
Număr produs de bază	RQ7E110