Name: RQ6L020SPTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6L020SPTCRTR-ND
Price: 9.075 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RQ6L020SPTCR
Numărul produsului DigiKey	RQ6L020SPTCRTR-ND - Bandă și mosor (TR) RQ6L020SPTCRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RQ6L020SPTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RQ6L020SPTCR
Descriere	MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 2A (Ta) 1,25W (Ta) Montare pe suprafață TSMT6 (SC-95)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RQ6L020SPTCR Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Rohm Semiconductor	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 750 pF @ 10 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 1,25W (Ta)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 2A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TSMT6 (SC-95)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 210mOhm la 2A, 10V	Pachet/cutie SOT-23-6 subțire, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) la Id 3V la 1mA	Număr produs de bază RQ6L020
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 7.2 nC @ 5 V