Name: RQ3P300BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P300BHTB1TR-ND
Price: 17.6781 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RQ3P300BHTB1
Numărul produsului DigiKey	846-RQ3P300BHTB1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-RQ3P300BHTB1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-RQ3P300BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RQ3P300BHTB1
Descriere	NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 39A (Tc) 32W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSMT (3,2x3)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Rohm Semiconductor	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2040 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 32W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 39A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-HSMT (3,2x3)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 15,5mOhm la 10A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 1mA	Număr produs de bază RQ3P300
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 36 nC @ 10 V