Name: RQ3N040ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3N040ATTB1TR-ND
Price: 8.8693 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RQ3N040ATTB1
Numărul produsului DigiKey	846-RQ3N040ATTB1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-RQ3N040ATTB1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-RQ3N040ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RQ3N040ATTB1
Descriere	PCH -80V -10A, HSMT8, POWER MOSF
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 80 V 4A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSMT (3,2x3)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 22 nC @ 10 V
Prod. Rohm Semiconductor	Vgs (Max) ±20V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 930 pF @ 40 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal P	Disipare putere (Max) 2W (Ta), 15W (Tc)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 80 V	Grad –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 4A (Ta), 10A (Tc)	Calificare –
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 126mOhm la 4A, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-HSMT (3,2x3)
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 1mA	Pachet/cutie 8-PowerVDFN