Name: RQ3G150GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G150GNTBTR-ND
Price: 9.7042 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RQ3G150GNTB
Numărul produsului DigiKey	RQ3G150GNTBTR-ND - Bandă și mosor (TR) RQ3G150GNTBCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RQ3G150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RQ3G150GNTB
Descriere	MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 39A (Tc) 20W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSMT (3,2x3)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RQ3G150GNTB Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Nu pentru designuri noi
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	39A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	7,2mOhm la 15A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1450 pF @ 20 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	20W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	8-HSMT (3,2x3)
Pachet/cutie	8-PowerVDFN
Număr produs de bază	RQ3G150