Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTBTR-ND
Price: 3.3759 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RQ3E080BNTB
Numărul produsului DigiKey	RQ3E080BNTBTR-ND - Bandă și mosor (TR) RQ3E080BNTBCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RQ3E080BNTB
Descriere	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Montare pe suprafață 8-HSMT (3,2x3)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RQ3E080BNTB Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	8A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	15,2mOhm la 8A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	660 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2W (Ta)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	8-HSMT (3,2x3)
Pachet/cutie	8-PowerVDFN
Număr produs de bază	RQ3E080

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 25.428

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)