Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTBTR-ND
Price: 3.6179 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RQ3E080BNTB
Numărul produsului DigiKey	RQ3E080BNTBTR-ND - Bandă și mosor (TR) RQ3E080BNTBCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RQ3E080BNTB
Descriere	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Montare pe suprafață 8-HSMT (3,2x3)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RQ3E080BNTB Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Rohm Semiconductor	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 660 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2W (Ta)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 8A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-HSMT (3,2x3)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 15,2mOhm la 8A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA	Număr produs de bază RQ3E080
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 14.5 nC @ 10 V

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 8.823

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)