Name: RF4G100BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF4G100BGTCRTR-ND
Price: 7.2237 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RF4G100BGTCR
Numărul produsului DigiKey	846-RF4G100BGTCRTR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-RF4G100BGTCRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-RF4G100BGTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RF4G100BGTCR
Descriere	NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Montare pe suprafață DFN2020-8S
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	10A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	14,2mOhm la 10A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	10.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	530 pF @ 20 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2W (Ta)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	DFN2020-8S
Pachet/cutie	8-PowerUDFN
Număr produs de bază	RF4G100