Name: RF4E080GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E080GNTRTR-ND
Price: 3.8478 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RF4E080GNTR
Numărul produsului DigiKey	RF4E080GNTRTR-ND - Bandă și mosor (TR) RF4E080GNTRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RF4E080GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RF4E080GNTR
Descriere	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Montare pe suprafață HUML2020L8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RF4E080GNTR Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	8A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	17,6mOhm la 8A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	295 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2W (Ta)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	HUML2020L8
Pachet/cutie	8-PowerUDFN
Număr produs de bază	RF4E080

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

În stoc: 2.650

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)