Name: RD3S100AAFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3S100AAFRATLTR-ND
Price: 20.4611 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RD3S100AAFRATL
Numărul produsului DigiKey	846-RD3S100AAFRATLTR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-RD3S100AAFRATLCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-RD3S100AAFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RD3S100AAFRATL
Descriere	MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 190 V 10A (Tc) 85W (Tc) Montare pe suprafață TO-252
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Rohm Semiconductor	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2000 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 85W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 190 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 10A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-252
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 182mOhm la 5A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA	Număr produs de bază RD3S100
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 52 nC @ 10 V