Name: RD3P130SPTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3P130SPTL1TR-ND
Price: 13.2979 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RD3P130SPTL1
Numărul produsului DigiKey	RD3P130SPTL1TR-ND - Bandă și mosor (TR) RD3P130SPTL1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RD3P130SPTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RD3P130SPTL1
Descriere	MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 100 V 13A (Ta) 20W (Tc) Montare pe suprafață TO-252
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RD3P130SPTL1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	13A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	200mOhm la 6,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2400 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	20W (Tc)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-252
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	RD3P130