Name: RD3H080SPTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H080SPTL1TR-ND
Price: 10.1277 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RD3H080SPTL1
Numărul produsului DigiKey	RD3H080SPTL1TR-ND - Bandă și mosor (TR) RD3H080SPTL1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RD3H080SPTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RD3H080SPTL1
Descriere	MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 45 V 8A (Ta) 15W (Tc) Montare pe suprafață TO-252
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RD3H080SPTL1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Rohm Semiconductor	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1000 pF @ 10 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 15W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 45 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 8A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-252
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 91mOhm la 8A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 3V la 1mA	Număr produs de bază RD3H080
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 9 nC @ 5 V