Name: RD3G08BBJHRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND
Price: 18.15 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RD3G08BBJHRBTL
Numărul produsului DigiKey	846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-RD3G08BBJHRBTLCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-RD3G08BBJHRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RD3G08BBJHRBTL
Descriere	PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 40 V 80A (Ta) 142W (Tc) Montare pe suprafață TO-252
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	80A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4,9mOhm la 80A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+5V, -20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	7350 pF @ 20 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	142W (Tc)
Temperatură de funcționare	175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-252
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63