Name: R8009KNXC7G
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R8009KNXC7GTR-ND
Price: 28.5318 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

R8009KNXC7G
Numărul produsului DigiKey	846-R8009KNXC7GTR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-R8009KNXC7GCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	R8009KNXC7G
Descriere	HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 800 V 9A (Ta) 59W (Tc) Orificiu străpuns TO-220FM
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Rohm Semiconductor	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 900 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 59W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 800 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 9A (Ta)	Tip montare Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-220FM
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 600mOhm la 4,5A, 10V	Pachet/cutie Pachet complet TO-220-3
Vgs(th) (Max) la Id 4,5V la 5mA	Număr produs de bază R8009
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 27 nC @ 10 V