R6020ENZ1C9 Rohm Semiconductor | Produse cu semiconductori discreți

R6020ENZ1C9
Numărul produsului DigiKey	R6020ENZ1C9-ND
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	R6020ENZ1C9
Descriere	MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	R6020ENZ1C9 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	20A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	196mOhm la 9,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1400 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	120W (Tc)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247
Pachet/cutie	TO-247-3

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Sunt de acord să primesc e-mailuri de marketing de la DigiKey (opțional). Înțeleg că îmi pot retrage consimțământul în orice moment. Vă rugăm să consultați Notificarea noastră de confidențialitate.

Informaţii

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

Contactați-ne

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

R6020ENZ1C9

Informaţii

Ajutor

Contactați-ne

Urmăriți-ne