Name: R6012ANX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6012ANX-ND
Price: 10.93823 RON
Availability: OutOfStock

R6012ANX
Numărul produsului DigiKey	R6012ANX-ND
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	R6012ANX
Descriere	MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 12A (Ta) 50W (Tc) Orificiu străpuns TO-220FM
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	R6012ANX Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Vrac
Stare piesă	Nu pentru designuri noi
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	12A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	420mOhm la 6A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1300 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	50W (Tc)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-220FM
Pachet/cutie	Pachet complet TO-220-3
Număr produs de bază	R6012

Preț unitar fără TVA:	9,03986 lei
Preț unitar cu TVA:	10,93823 lei

R6012ANX