Name: QH8KE6TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-QH8KE6TCRTR-ND
Price: 7.6472 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

QH8KE6TCR
Numărul produsului DigiKey	846-QH8KE6TCRTR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-QH8KE6TCRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-QH8KE6TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	QH8KE6TCR
Descriere	MOSFET 2N-CH 100V 4A TSMT8
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 100V 4A (Ta) 1,1W (Ta) Montare pe suprafață TSMT8
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET	–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	4A (Ta)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	56mOhm la 4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	6,7nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	305pF la 50V
Putere - Max	1,1W (Ta)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	8-SMD, Derivații plate
Pachet dispozitiv furnizor	TSMT8