Name: HT8KC5TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KC5TB1TR-ND
Price: 8.7604 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

HT8KC5TB1
Numărul produsului DigiKey	846-HT8KC5TB1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-HT8KC5TB1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-HT8KC5TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	HT8KC5TB1
Descriere	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8HSMT
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 60V 3,5A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 13W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSMT (3,2x3)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Rds pornit (Max) la Id, Vgs 90mOhm la 3,5A, 10V
Producător Rohm Semiconductor	Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 3,1nC la 10V
Stare piesă Activ	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 135pF la 30V
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Putere - Max 2W (Ta), 13W (Tc)
Configurație Canal 2 N (dublu)	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Caracteristică FET –	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 3,5A (Ta), 10A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor 8-HSMT (3,2x3)