Name: HP8MA2TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8MA2TB1TR-ND
Price: 14.5321 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

HP8MA2TB1
Numărul produsului DigiKey	HP8MA2TB1TR-ND - Bandă și mosor (TR) HP8MA2TB1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) HP8MA2TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	HP8MA2TB1
Descriere	MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 3W (Ta) Montare pe suprafață 8-HSOP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	HP8MA2TB1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA
Producător Rohm Semiconductor	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 22nC la 10V, 25nC la 10V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1100pF la 15V, 1250pF la 15V
Stare piesă Activ	Putere - Max 3W (Ta)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Configurație Canal N și P	Tip montare Montare pe suprafață
Caracteristică FET –	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30V	Pachet dispozitiv furnizor 8-HSOP
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 18A (Ta), 15A (Ta)	Număr produs de bază HP8MA2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 9,6mOhm la 18A, 10V, 17,9mOhm la 15A, 10V