Name: HP8JE5TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HP8JE5TB1TR-ND
Price: 15.7421 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

HP8JE5TB1
Numărul produsului DigiKey	846-HP8JE5TB1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-HP8JE5TB1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-HP8JE5TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	HP8JE5TB1
Descriere	MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 100V 4,5A (Ta), 12,5A (Tc) 3W (Ta), 21W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSOP
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Rds pornit (Max) la Id, Vgs 127mOhm la 4,5A, 10V
Producător Rohm Semiconductor	Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 38nC la 10V
Stare piesă Activ	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1370pF la 50V
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Putere - Max 3W (Ta), 21W (Tc)
Configurație Canal 2 P (dublu)	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Caracteristică FET –	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 4,5A (Ta), 12,5A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor 8-HSOP