SIC Power Module
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
SIC Power Module
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

Numărul produsului DigiKey
BSM180D12P3C007-ND
Producător
Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului
BSM180D12P3C007
Descriere
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Termen de livrare standard al producătorului
22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Montare pe suprafață Modul
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
BSM180D12P3C007 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Producător
Rohm Semiconductor
Serie
-
Ambalaj
Vrac
Stare piesă
Activ
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Configurație
Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET
–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
180A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
–
Vgs(th) (Max) la Id
5,6V la 50mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
–
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
900pF la 10V
Putere - Max
880W
Temperatură de funcționare
175°C (TJ)
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet/cutie
Modul
Pachet dispozitiv furnizor
Modul
Număr produs de bază
BSM180
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

În stoc: 13
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Vrac
Cantitate Preț unitar Ext Price
12.455,81000 lei2.455,81 lei
Preț unitar fără TVA:2.455,81000 lei
Preț unitar cu TVA:2.971,53010 lei