Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

Numărul produsului DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
BSM180D12P2E002
Descriere
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Termen de livrare standard al producătorului
27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Afișați atributele goale
Categorie
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 35,2mA
Producător
Rohm Semiconductor
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Ambalaj
Vrac
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
18000pF la 10V
Stare piesă
Activ
Putere - Max
1360W (Tc)
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Configurație
Canal 2 N (Semi-punte)
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Caracteristică FET
Pachet/cutie
Modul
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Pachet dispozitiv furnizor
Modul
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
204A (Tc)
Număr produs de bază
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 0
Verificați termenul de livrare
Solicitare de notificare privind stocul
Toate prețurile sunt în RON
Vrac
Cantitate Preț unitar Ext Price
12.932,63000 lei2.932,63 lei
Preț unitar fără TVA:2.932,63000 lei
Preț unitar cu TVA:3.548,48230 lei