Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

Numărul produsului DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
BSM180D12P2E002
Descriere
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Termen de livrare standard al producătorului
27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Producător
Rohm Semiconductor
Serie
-
Ambalaj
Vrac
Stare piesă
Activ
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Configurație
Canal 2 N (Semi-punte)
Caracteristică FET
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
204A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 35,2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
18000pF la 10V
Putere - Max
1360W (Tc)
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Pachet/cutie
Modul
Pachet dispozitiv furnizor
Modul
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 4
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Vrac
Cantitate Preț unitar Ext Price
12.911,32000 lei2.911,32 lei
Preț unitar fără TVA:2.911,32000 lei
Preț unitar cu TVA:3.522,69720 lei