Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

Numărul produsului DigiKey
BSM120D12P2C005-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
BSM120D12P2C005
Descriere
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Termen de livrare standard al producătorului
27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
BSM120D12P2C005 Modele
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Afișați atributele goale
Categorie
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Producător
Rohm Semiconductor
Vgs(th) (Max) la Id
2,7V la 22mA
Ambalaj
Vrac
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Stare piesă
Activ
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
14000pF la 10V
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Putere - Max
780W
Configurație
Canal 2 N (Semi-punte)
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Caracteristică FET
Pachet/cutie
Modul
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Pachet dispozitiv furnizor
Modul
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
120A (Tc)
Număr produs de bază
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 2
Verificați stoc primit suplimentar
După epuizarea stocului acestui produs, se vor aplica pachetul și termenul de livrare standard ale producătorului.
Toate prețurile sunt în RON
Vrac
Cantitate Preț unitar Ext Price
11.626,54000 lei1.626,54 lei
Preț unitar fără TVA:1.626,54000 lei
Preț unitar cu TVA:1.968,11340 lei