Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

Numărul produsului DigiKey
BSM120D12P2C005-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
BSM120D12P2C005
Descriere
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Termen de livrare standard al producătorului
27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
BSM120D12P2C005 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Producător
Rohm Semiconductor
Serie
-
Ambalaj
Vrac
Stare piesă
Activ
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Configurație
Canal 2 N (Semi-punte)
Caracteristică FET
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
120A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
2,7V la 22mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
14000pF la 10V
Putere - Max
780W
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Pachet/cutie
Modul
Pachet dispozitiv furnizor
Modul
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 2
Verificați stoc primit suplimentar
După epuizarea stocului acestui produs, se vor aplica pachetul și termenul de livrare standard ale producătorului.
Toate prețurile sunt în RON
Vrac
Cantitate Preț unitar Ext Price
11.709,57000 lei1.709,57 lei
Preț unitar fără TVA:1.709,57000 lei
Preț unitar cu TVA:2.068,57970 lei