PMV65XPEA215 NXP USA Inc. | FET-uri, MOSFET-uri individuale

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

PMV65XPEA215
Numărul produsului DigiKey	2156-PMV65XPEA215-ND
Producător	NXP USA Inc.
Numărul produsului producătorului	PMV65XPEA215
Descriere	P-CHANNEL MOSFET
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 20 V 2,8A (Ta) 480mW (Ta), 6,25W (Tc) Montare pe suprafață TO-236AB
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 9 nC @ 4.5 V
Prod. NXP USA Inc.	Vgs (Max) ±12V
Ambalaj Vrac	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 618 pF @ 10 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal P	Disipare putere (Max) 480mW (Ta), 6,25W (Tc)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20 V	Grad Automobile
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 2,8A (Ta)	Calificare AEC-Q101
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 2,5V, 4,5V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 78mOhm la 2,8A, 4,5V	Pachet dispozitiv furnizor TO-236AB
Vgs(th) (Max) la Id 1,25V la 250µA	Pachet/cutie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 0

Nu se poate anula/Nu se poate returna

PRODUS MARKETPLACE

Termen de livrare indisponibil/Comenzile în așteptare nu sunt permise

Se poate aplica o taxă de transport separată.

PMV65XPEA215