Name: PMCM6501VPEZ
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
Price: 3.27087 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

PMCM6501VPEZ
Numărul produsului DigiKey	2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
Producător	NXP Semiconductors
Numărul produsului producătorului	PMCM6501VPEZ
Descriere	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 12 V 6,2A (Ta) 556mW (Ta), 12,5W (Tc) Montare pe suprafață 6-WLCSP (1,48x0,98)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	NXP Semiconductors
Serie	-
Ambalaj	Vrac
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	12 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	6,2A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	1,8V, 4,5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	25mOhm la 3A, 4,5V
Vgs(th) (Max) la Id	900mV la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	29.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1400 pF @ 6 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	556mW (Ta), 12,5W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	6-WLCSP (1,48x0,98)
Pachet/cutie	6-XFBGA, WLCSP