IPA70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies | FET-uri, MOSFET-uri individuale

IPA70R750P7SXKSA1 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

IXYS

În stoc: 24

Preț unitar : 22,07000 lei

Similar

STMicroelectronics

În stoc: 183

Preț unitar : 17,30000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPA70R750P7SXKSA1
Numărul produsului DigiKey	IPA70R750P7SXKSA1-ND
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPA70R750P7SXKSA1
Descriere	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 700 V 6,5A (Tc) 21,2W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-FP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPA70R750P7SXKSA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 8.3 nC @ 400 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±16V
Serie CoolMOS™ P7	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 306 pF @ 400 V
Ambalaj Tub	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 21,2W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -40°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 700 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 6,5A (Tc)	Tip montare Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO220-FP
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 750mOhm la 1,4A, 10V	Pachet/cutie Pachet complet TO-220-3
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 70µA	Număr produs de bază IPA70R750