Name: TP65H300G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H300G4LSGB-TR-ND
Price: 23.4498 RON
Availability: InStock

Canal-N 650 V 6,5A (Tc) 21W (Tc) Montare pe suprafață 8-PQFN (8x8)

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TP65H300G4LSGB-TR
Numărul produsului DigiKey	1707-TP65H300G4LSGB-TR-ND - Bandă și mosor (TR) 1707-TP65H300G4LSGB-TRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 1707-TP65H300G4LSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Renesas Electronics Corporation
Numărul produsului producătorului	TP65H300G4LSGB-TR
Descriere	GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 6,5A (Tc) 21W (Tc) Montare pe suprafață 8-PQFN (8x8)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 8.8 nC @ 10 V
Prod. Renesas Electronics Corporation	Vgs (Max) ±12V
Serie SuperGaN®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 730 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 21W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 6,5A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V	Pachet dispozitiv furnizor 8-PQFN (8x8)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 312mOÎm la 6,5A, 6V	Pachet/cutie Plăcuță expusă 8-VDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,8V la 500µA