Name: TP65H070G4RS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070G4RS-TR-ND
Price: 44.7458 RON
Availability: InStock

Canal-N 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) Montare pe suprafață TOLT

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TP65H070G4RS-TR
Numărul produsului DigiKey	1707-TP65H070G4RS-TR-ND - Bandă și mosor (TR) 1707-TP65H070G4RS-TRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 1707-TP65H070G4RS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Renesas Electronics Corporation
Numărul produsului producătorului	TP65H070G4RS-TR
Descriere	650 V 29 A GAN FET
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) Montare pe suprafață TOLT
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 9 nC @ 10 V
Prod. Renesas Electronics Corporation	Vgs (Max) ±20V
Serie SuperGaN®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 638 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 96W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 29A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TOLT
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 85mOhm la 18A, 10V	Pachet/cutie Modul 16-PowerSOP de putere
Vgs(th) (Max) la Id 4,8V la 700µA