NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NP88N03KDG-E1-AY
Numărul produsului DigiKey	NP88N03KDG-E1-AYTR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	Renesas Electronics Corporation
Numărul produsului producătorului	NP88N03KDG-E1-AY
Descriere	MOSFET N-CH 30V 88A TO263
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 88A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Montare pe suprafață TO-263
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	NP88N03KDG-E1-AY Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	88A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,4mOhm la 44A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	13500 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1,8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatură de funcționare	175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB