2SK1317-E este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


onsemi
În stoc: 0
Preț unitar : 26,55000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 56
Preț unitar : 19,62000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 28,74000 lei
Fișă de date
Canal-N 1500 V 2,5A (Ta) 100W (Tc) Orificiu străpuns TO-3P
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

2SK1317-E

Numărul produsului DigiKey
2SK1317-E-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
2SK1317-E
Descriere
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1500 V 2,5A (Ta) 100W (Tc) Orificiu străpuns TO-3P
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
2SK1317-E Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1500 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
12Ohm la 2A, 15V
Vgs(th) (Max) la Id
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
990 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
100W (Tc)
Temperatură de funcționare
150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.