
NXV08A170DB2 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 488-NXV08A170DB2-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | NXV08A170DB2 |
Descriere | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Termen de livrare standard al producătorului | 33 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 80V 200A (Tj) – Orificiu străpuns APM12-CBA |
Fișă de date | Fișă de date |
Categorie | Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA |
Producător onsemi | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 195nC la 10V |
Ambalaj Tavă | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 14000pF la 40V |
Stare piesă Activ | Putere - Max – |
Tehnologie MOSFET (oxid metalic) | Temperatură de funcționare 175°C (TJ) |
Configurație Canal 2 N (Semi-punte) | Grad Automobile |
Caracteristică FET – | Calificare AEC-Q100 |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 80V | Tip montare Orificiu străpuns |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 200A (Tj) | Pachet/cutie Modul 12-PowerDIP (1,118", 28,40mm) |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 0,99mOhm la 80A, 10V, 1,35mOhm la 80A, 10V | Pachet dispozitiv furnizor APM12-CBA |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 90,73000 lei | 90,73 lei |
| 10 | 65,15500 lei | 651,55 lei |
| 288 | 51,91326 lei | 14.951,02 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 90,73000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 109,78330 lei |


