Name: NVMYS2D9N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS2D9N04CLTWGTR-ND
Price: 9.922 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NVMYS2D9N04CLTWG
Numărul produsului DigiKey	488-NVMYS2D9N04CLTWGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 488-NVMYS2D9N04CLTWGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 488-NVMYS2D9N04CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NVMYS2D9N04CLTWG
Descriere	MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Termen de livrare standard al producătorului	31 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 3,7W (Ta), 68W (Tc) Montare pe suprafață LFPAK4 (5x6)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	27A (Ta), 110A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,8mOhm la 40A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 60µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2100 pF @ 20 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,7W (Ta), 68W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	LFPAK4 (5x6)
Pachet/cutie	SOT-1023, 4-LFPAK
Număr produs de bază	NVMYS2