Name: NVMFS5C638NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5C638NLT1GOSTR-ND
Price: 16.5165 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NVMFS5C638NLT1G
Numărul produsului DigiKey	NVMFS5C638NLT1GOSTR-ND - Bandă și mosor (TR) NVMFS5C638NLT1GOSCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) NVMFS5C638NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NVMFS5C638NLT1G
Descriere	MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Termen de livrare standard al producătorului	19 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 4W (Ta), 100W (Tc) Montare pe suprafață 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	NVMFS5C638NLT1G Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	26A (Ta), 133A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	3mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	40.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2880 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	4W (Ta), 100W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pachet/cutie	8-PowerTDFN, 5 derivații
Număr produs de bază	NVMFS5