Name: NVGS5120PT1G
Brand: onsemi
SKU: NVGS5120PT1GOSTR-ND
Price: 7.7682 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NVGS5120PT1G
Numărul produsului DigiKey	NVGS5120PT1GOSTR-ND - Bandă și mosor (TR) NVGS5120PT1GOSCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) NVGS5120PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NVGS5120PT1G
Descriere	MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Termen de livrare standard al producătorului	13 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 1,8A (Ta) 600mW (Ta) Montare pe suprafață 6-TSOP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	NVGS5120PT1G Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. onsemi	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 942 pF @ 30 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 600mW (Ta)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 1,8A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 6-TSOP
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 111mOhm la 2,9A, 10V	Pachet/cutie SOT-23-6 subțire, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) la Id 3V la 250µA	Număr produs de bază NVGS5120
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 18.1 nC @ 10 V