Name: NVF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NVF6P02T3GOSTR-ND
Price: 10.1761 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NVF6P02T3G
Numărul produsului DigiKey	NVF6P02T3GOSTR-ND - Bandă și mosor (TR) NVF6P02T3GOSCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) NVF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NVF6P02T3G
Descriere	MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 20 V 10A (Ta) 8,3W (Ta) Montare pe suprafață SOT-223 (TO-261)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	NVF6P02T3G Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±8V
Prod. onsemi	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1200 pF @ 16 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Nu pentru designuri noi	Disipare putere (Max) 8,3W (Ta)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 10A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 2,5V, 4,5V	Pachet dispozitiv furnizor SOT-223 (TO-261)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 50mOhm la 6A, 4,5V	Pachet/cutie TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) la Id 1V la 250µA	Număr produs de bază NVF6P02
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 20 nC @ 4.5 V