Name: NVBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG030N120M3STR-ND
Price: 132.9427 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NVBG030N120M3S
Numărul produsului DigiKey	5556-NVBG030N120M3STR-ND - Bandă și mosor (TR) 5556-NVBG030N120M3SCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 5556-NVBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NVBG030N120M3S
Descriere	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 77A (Tc) 348W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK-7
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	77A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	39mOhm la 30A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	4,4V la 15mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2430 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	348W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	D2PAK-7
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA