Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 15.5122 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NTTFS1D2N02P1E
Numărul produsului DigiKey	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Bandă și mosor (TR) 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NTTFS1D2N02P1E
Descriere	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Montare pe suprafață 8-PQFN (3,3x3,3)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	NTTFS1D2N02P1E Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	25 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	23A (Ta), 180A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1mOhm la 38A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 934µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	24 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	+16V, -12V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4040 pF @ 13 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	820mW (Ta), 52W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	8-PQFN (3,3x3,3)
Pachet/cutie	8-PowerWDFN
Număr produs de bază	NTTFS1