Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 22.2156 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NTMFS3D2N10MDT1G
Numărul produsului DigiKey	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Bandă și mosor (TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NTMFS3D2N10MDT1G
Descriere	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Termen de livrare standard al producătorului	33 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) Montare pe suprafață 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	NTMFS3D2N10MDT1G Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	19A (Ta), 142A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	3,5mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 316µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	71.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3900 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,8W (Ta), 155W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pachet/cutie	8-PowerTDFN, 5 derivații
Număr produs de bază	NTMFS3