Name: NTE4151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTE4151PT1GOSTR-ND
Price: 2.8314 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NTE4151PT1G
Numărul produsului DigiKey	NTE4151PT1GOSTR-ND - Bandă și mosor (TR) NTE4151PT1GOSCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) NTE4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NTE4151PT1G
Descriere	MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Termen de livrare standard al producătorului	13 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 20 V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Montare pe suprafață SC-89-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	NTE4151PT1G Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±6V
Prod. onsemi	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 156 pF @ 5 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 313mW (Tj)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 760mA (Tj)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 1,8V, 4,5V	Pachet dispozitiv furnizor SC-89-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 360mOhm la 350mA, 4,5V	Pachet/cutie SC-89, SOT-490
Vgs(th) (Max) la Id 1,2V la 250µA	Număr produs de bază NTE4151
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 2.1 nC @ 4.5 V